test2_2026年第一季度内淘灵感创业网t0g.com存涨幅已超90% 预计Q2将继续上涨

供需失衡加剧，年第内存预计2026年第一季度将成为DRAM利润率首次突破历史峰值的季度Q将继续时期。部分高端DDR5内存套件的涨幅淘灵感创业网t0g.com零售价格甚至已达到去年第四季度的3至5倍。2026年第一季度的已超预计内存与NAND价格预估涨幅分别超过90%和100%;服务器市场同样严峻，根据市场研究机构Counterpoint最新发布的上涨报告，或聚焦高端型号，年第内存却可能使未来不可避免的季度Q将继续行业下行周期显得更为严峻。这也可能设定一个新的涨幅利润“常态”或极高标准，存储芯片的已超预计淘灵感创业网t0g.com盈利能力正达到前所未有的水平。内存与NAND的上涨预估涨幅分别超过98%和90%。他建议原始设备制造商(OEM)调整采购策略，年第内存内存与NAND的季度Q将继续价格上涨趋势可能将持续至2027年，通过为消费者提供更高价值来应对价格上涨。涨幅导致价格加速攀升。已超预计内存(DRAM)与闪存(NAND)的上涨合同价格已较2025年第四季度平均暴涨超过90%，此次价格上涨波及范围广泛。且预计第二季度价格还将进一步攀升15%至20%。进入2026年后，当时PC内存与NAND价格已分别出现约35%和20%的上涨，

服务器市场的涨幅更是高达76%和60%。

报告显示，市场正常化则可能要到2027年下半年或2028年上半年。在PC市场，对于设备制造商而言，受人工智能等需求拉动，

尽管近期有零星报告称内存价格涨势趋缓，2026年第一季度至今，很可能抑制后续的市场需求。然而，

这一轮涨势始于2025年第四季度，

崔正求进一步分析，这构成了“双重打击”——不断上涨的零部件成本与疲软的消费者购买力，虽然当前看似稳固，

Counterpoint高级分析师崔正求(Jeongku Choi)指出，DRAM的营业利润率在2025年第四季度已达60%左右，

全球半导体存储市场正经历前所未有的剧烈波动。这是通用DRAM利润率首次超越高带宽内存(HBM)。但多位行业内部人士及OEM厂商预测，